D램을 수직으로 쌓아 대역폭을 크게 늘린 메모리. AI 가속기(GPU) 성능을 좌우합니다.
D램 다이를 8~16단으로 쌓고 실리콘관통전극(TSV)으로 연결합니다. 적층·본딩(TC본더, 하이브리드 본딩) 공정이 수율의 핵심이라 한미반도체 같은 장비사도 수혜를 봅니다.
SK하이닉스가 엔비디아 공급 선도, 삼성·마이크론 추격. 4부터는 베이스 다이를 파운드리(TSMC 등)에서 만드는 협업 구조로 바뀝니다.
HBM 단품은 일반 메모리로 분류되지만, HBM이 탑재된 AI 가속기 모듈은 미국 반도체 232 1단계(첨단 연산칩 25%) 대상이 될 수 있습니다. 패키징을 어디서 하느냐(미국 인디애나 등)가 2단계 관세의 변수입니다.