반도체 공정 3단계 — 클린룸(Fab)
먼지 하나가 회로를 망가뜨려 공기 1㎥당 먼지 1~10개 이하로 관리. 메모리 fab 하나에 20조~30조 원.
무엇을 하나
먼지 하나가 회로를 망가뜨려 공기 1㎥당 먼지 1~10개 이하로 관리. 메모리 하나에 20조~30조 원.
앞뒤 공정
1웨이퍼 절단·연마
→2▶ 클린룸(Fab)
→3노광(포토)
통상(관세·원산지) 포인트
Fab 위치 = 칩의 (관세 결정)
이 문서의 용어
이어서 읽기
- 반도체은 이렇게 만들어진다 — 공정 전체(사진)반도체 제조 17단계를 사진으로 따라가며, 각 단계가 관세·원산지에 어떤 의미인지 정리했습니다.
- 반도체 공정 2단계 — 웨이퍼 절단·연마잉곳을 0.7mm 두께로 얇게 썰고 거울처럼 연마한 300mm 원판. 이 위에 칩 수백~수천 개를 만듭니다.
- 반도체 공정 4단계 — 노광(포토)빛으로 회로 패턴을 웨이퍼에 찍는 핵심 공정. 첨단 칩은 ASML EUV 장비(대당 약 2,500억 원) 사용 — 대중국 수출 금지 품목.