반도체은 이렇게 만들어진다 — 공정 전체(사진)

전체 흐름

1. 잉곳 성장

초고순도(99.999999999%) 실리콘을 녹여 단결정 막대(잉곳)로 길러냅니다(초크랄스키법). 한국: SK실트론, 일본: 신에쓰·섬코.

통상 포인트: 소재 — 원산지? 무관(웨이퍼 단계에서 결정되지 않음)

2. 웨이퍼 절단·연마

잉곳을 0.7mm 두께로 얇게 썰고 거울처럼 연마한 300mm 원판. 이 위에 칩 수백~수천 개를 만듭니다.

통상 포인트: HS 3818(웨이퍼) — 대부분 0%

3. 클린룸(Fab)

먼지 하나가 회로를 망가뜨려 공기 1㎥당 먼지 1~10개 이하로 관리. 메모리 fab? 하나에 20조~30조 원.

통상 포인트: Fab 위치 = 칩의 원산지(관세 결정)

4. 노광(포토)

빛으로 회로 패턴을 웨이퍼에 찍는 핵심 공정. 첨단 칩은 ASML EUV 장비(대당 약 2,500억 원) 사용 — 대중국 수출 금지 품목.

통상 포인트: 장비 수출통제?(EAR·네덜란드)

5. 식각

노광으로 그린 패턴 외의 부분을 플라스마로 깎아내 회로 모양을 만듭니다. 램리서치·도쿄일렉트론, 한국 세메스·PSK.

6. 증착

아주 얇은 막(수 나노미터)을 쌓는 공정(CVD·ALD). 3D 낸드는 200층 이상을 쌓습니다. 한국: 원익IPS·주성·유진테크.

7. 평탄화(CMP)

쌓고 깎기를 반복하며 울퉁불퉁해진 표면을 화학·기계적으로 평평하게 갈아냅니다.

8. 이온주입

전기가 통하는 성질을 바꾸려고 붕소·인 이온을 쏘아 넣습니다(트랜지스터 형성).

9. 웨이퍼 테스트(EDS)

완성된 웨이퍼의 칩마다 바늘(프로브 카드)을 대 전기적 불량을 골라냅니다. 수율(정상 칩 비율)이 수익을 좌우.

10. 다이싱(절단)

웨이퍼를 개별 칩(다이)으로 자릅니다. 여기서부터 후공정?(패키징).

통상 포인트: 후공정 국가는 원산지를 바꾸지 않음(미국 기준)

11. 와이어 본딩

칩과 기판을 머리카락보다 가는 금·구리선으로 연결. 첨단 제품은 범프·TSV로 대체.

12. 패키징(BGA)

칩을 보호 케이스에 넣고 기판에 납볼(BGA?)을 붙여 완성. 말레이시아·베트남·중국 OSAT에 집중.

통상 포인트: HS 8542 완제품

13. HBM·인터포저(첨단 패키징)

D램을 수직으로 쌓은 HBM?을 GPU 옆 실리콘 인터포저 위에 붙입니다(TSMC CoWoS?). SK하이닉스·삼성 HBM이 여기에.

통상 포인트: HBM 단품은 8542 → 232 1단계 대상 아님

14. D램 모듈

D램 칩 여러 개를 기판에 붙인 PC·서버용 메모리(DDR4·DDR5).

통상 포인트: HS 8473.30(부분품) — 일반 모듈은 기준 밖

15. SSD(낸드)

낸드 플래시 칩 + 컨트롤러로 만든 저장장치. AI 서버용 eSSD 수요 급증.

통상 포인트: HS 8471.70 등

16. AI 가속기(GPU)

엔비디아 H100 — GPU 다이 주변에 HBM 스택. H200(대역폭 4.8TB/s)은 미국 232 1단계 25% 대상.

통상 포인트: 8471.80·8473.30 + TPP? 기준

17. 후공정(OSAT) 공장

대만 ASE 중리 공장 — 패키징·테스트 전문 기업(OSAT). 한국: 하나마이크론·SFA반도체·네패스.