반도체 공정 2단계 — 웨이퍼 절단·연마
잉곳을 0.7mm 두께로 얇게 썰고 거울처럼 연마한 300mm 원판. 이 위에 칩 수백~수천 개를 만듭니다.
무엇을 하나
잉곳을 0.7mm 두께로 얇게 썰고 거울처럼 연마한 300mm 원판. 이 위에 칩 수백~수천 개를 만듭니다.
앞뒤 공정
1잉곳 성장
→2▶ 웨이퍼 절단·연마
→3클린룸(Fab)
통상(관세·원산지) 포인트
HS 3818(웨이퍼) — 대부분 0%
이 문서의 용어
이어서 읽기
- 반도체은 이렇게 만들어진다 — 공정 전체(사진)반도체 제조 17단계를 사진으로 따라가며, 각 단계가 관세·원산지에 어떤 의미인지 정리했습니다.
- 반도체 공정 1단계 — 잉곳 성장초고순도(99.999999999%) 실리콘을 녹여 단결정 막대(잉곳)로 길러냅니다(초크랄스키법). 한국: SK실트론, 일본: 신에쓰·섬코.
- 반도체 공정 3단계 — 클린룸(Fab)먼지 하나가 회로를 망가뜨려 공기 1㎥당 먼지 1~10개 이하로 관리. 메모리 fab 하나에 20조~30조 원.